Характеристики Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73DB0-CK0
Характеристики
CL
11
tRAS
35
tRCD
11
tRP
11
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1 шт.
Количество рангов
2
Напряжение питания
1.5 В
Особенности
низкопрофильная (Low Profile)
Пропускная способность
PC12800 Мб/с
Тактовая частота
1600 МГц
Тип
DDR3
Упаковка чипов
двусторонняя
Форм-фактор
DIMM
Объем одного модуля
8 Гб
Точные характеристики "Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73DB0-CK0", для сравнения характеристик с другими моделями нажмите кнопку "Сравнить".
Отзывы о Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73DB0-CK0
Написать отзыв